STGE200NB60S

- N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 150 А семейства PowerMESH™.

Цоколевка STGE200NB60S показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики транзистора STGE200NB60S
-VCES,В 600
-Рабочий ток: IC,А 150
-Рабочий ток: При TC,°C 100
-VCE(sat),В 1.6
-td(on) (тип.),нс 64
-tr (тип.),нс 112
-td(off) (тип.),нс 2400
-tf (тип.),нс 1230
-EON (тип.),мДж 11.7
-EOFF (тип.),мДж 59
-PD,Вт 600
-FWD Нет
-TA,°C от -55 до -150
-Корпус ISOTOP

Скачать STGE200NB60S datasheet