2SB791 биполярный низкочастотный мощный P-N-P транзистор документация на русском
2SB791 - биполярный низкочастотный мощный P-N-P транзистор.
Цоколевка 2SB791 в корпусе TO-220 показана на рис. 1
Рис. 1
Характеристики транзистора 2SB791
-Структура P-N-P
-Максимально допустимое напряжение коллектор-база 120V
-Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 120V
-Максимально допустимый постоянный ток коллектора 8A
-Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 40W
-Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 1000/20000
»