IRFH5110 мощный MOSFET транзистор документация на русском
IRFH5110 - мощный MOSFET транзистор. Применяется в ИБП, драйверах двигателей и т.д.
Характеристики транзистора IRFH5110
-Корпус - PQFN 5 X 6 B
-Напряжение пробоя сток-исток 100 В
-Максимальное напряжение затвора 20 В
-Сопротивление в открытом состоянии 12.4 мОм
-Ток затвора 63 А
-Заряд затвора 48.0 нКл
-Термосопротивление 1.1 К/Вт
-Рассеиваемая мощность 114 Вт
»