IRF1010 полевой n канальный MOSFET транзистор документация на русском
IRF1010
мощный N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Цоколевка IRF1010 в корпусе TO-220 показана на рис. 1
Рис. 1
Характеристики транзистора IRF1010
-Напряжение пробоя сток-исток 60 В
-Максимальное напряжение затвора 20 В
-Сопротивление в открытом состоянии 12.0 мОм
-Ток затвора 81 А
-Заряд затвора 86.6 нКл
-Термосопротивление 0.90 К/Вт
-Рассеиваемая мощность 170 Вт
»