Главная страница » datasheet Каталог » Транзисторы

IRF1010 полевой n канальный MOSFET транзистор документация на русском

  • user warning: Table './drupal/sessions' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed query: SELECT COUNT(sid) AS count FROM sessions WHERE timestamp >= 1775863735 AND uid = 0 in /var/www/fendercustomsh/data/www/avrlab.com/includes/session.inc on line 119.
  • user warning: Table './drupal/sessions' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed query: SELECT DISTINCT u.uid, u.name, s.timestamp FROM users u INNER JOIN sessions s ON u.uid = s.uid WHERE s.timestamp >= 1775863735 AND s.uid > 0 ORDER BY s.timestamp DESC in /var/www/fendercustomsh/data/www/avrlab.com/modules/user/user.module on line 764.

IRF1010

мощный N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.

Цоколевка IRF1010 в корпусе TO-220 показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики транзистора IRF1010

-Напряжение пробоя сток-исток 60 В
-Максимальное напряжение затвора 20 В
-Сопротивление в открытом состоянии 12.0 мОм
-Ток затвора 81 А
-Заряд затвора 86.6 нКл
-Термосопротивление 0.90 К/Вт
-Рассеиваемая мощность 170 Вт

Скачать IRF1010 datasheet

»