Транзистор 50N06 datasheet аналог, документация и параметры документация на русском

50N06

Мощный N-канальный MOSFET транзистор.

Цоколевка 50N06 показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики 50N06:
-Drain-Source Напряжение 60V
-Gate-Source Напряжение ± 20V
-Ток стока 50 A
-Мощность 131W
-Рабочая температура -55 до 175 °C

ТИПОВЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ:
Высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций и различная техника для военных и космических целей.

Скачать 50N06 datasheet