Биполярный n-p-n транзистор 2N5551 документация на русском datasheet
2N5551 - маломощный, высокочастотный N-P-N транзистор высокого напряжения.
NPN транзистор разработан для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.
Цоколевка 2N5551 в корпусе TO-92 показана на рис. 1
Рис. 1
Характеристики транзистора 2N5551:
-Структура n-p-n
-Максимально допустимое напряжение коллектор-база 180 В
-Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 160 В
-Максимально допустимый постоянный ток коллектора 0,6 А
-Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 0,625 Вт
-Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 80
-Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 100 МГц
»