Полевой MOSFET транзистор IRF640 n канальный документация на русском

IRF640

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.

Цоколевка IRF640 в корпусе TO-220 показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики транзистора IRF640

-Тип транзистора: MOSFET
-Полярность: N
-Напряжение пробоя сток-исток 200 В
-Максимальное напряжение затвора 20 В
-Сопротивление в открытом состоянии 0.18 мОм
-Ток затвора 18 А
-Заряд затвора 70.0 нКл
-Рассеиваемая мощность 125 Вт

Видео примера усилителя на транзисторах IRF640

Скачать IRF640 datasheet