Полевой транзистор IRF540 MOSFET datasheet документация на русском

IRF540

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.

Цоколевка IRF540 в корпусе TO-220 показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики транзистора IRF540

-Тип транзистора: MOSFET
-Полярность: N
-Напряжение пробоя сток-исток 100 В
-Максимальное напряжение затвора 20 В
-Сопротивление в открытом состоянии 44.0 мОм
-Ток затвора 33 А
-Заряд затвора 47.3 нКл
-Термосопротивление 1.1 К/Вт
-Рассеиваемая мощность 140 Вт

Скачать IRF540 datasheet