P0903BDG n-канальный МОП транзистор характеристики аналоги документация на русском
P0903BDG - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Цоколевка P0903BDG в корпусе TO-252(DPAK): показана на рис. 1
Рис. 1
Особенности P0903BDG:
-Тип: N-Channel
-Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 25 В
-Постоянный ток стока (ID): 50 А
-Сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)): 500 мкОм
-Мощность рассеяния (PD): 50 Вт
-Напряжение насыщения затвор-исток (max) (VGS): 20 В
-Пороговое напряжение включения (VGS(th)): 1.6 В
-Заряд затвор-сток (QGD): 10 нКл
-Заряд затвор-исток (QGS): 15 нКл
-Заряд затвора (QG(tot)): 25 нКл
-Энергия лавинного процесса одиночного импульса (max) (EAS): 250 мДж
-Энергия повторяющегося лавинного процесса (max) (EAR): 8.6 мДж
-Лавинный ток (IAR): 40 А
-Емкость затвора (Ciss): 1.2 нФ
-Выходная емкость (Coss): 600 пФ
-Проходная емкость (Crss): 350 пФ
-Время нарастания (tr): 120 нс
-Время задержки включения (td(on)): 6 нс
-Время спада (tf): 105 нс
-Время задержки выключения (td(off)): 40 нс
-Время обратного восстановления (trr): 70 нс
»