IRFP460 мощный полевой MOSFET транзистор аналоги и документация на русском

IRFP460 - Мощный N-канальный MOSFET транзистор.

Цоколевка IRFP460 показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики IRFP460:
Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20
Максимальная температура канала (Tj): 150
Время нарастания (tr):
Выходная емкость (Cd), pf:
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.27
Тип корпуса: TO3P

ТИПОВЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ:
Высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, переферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций и различная техника для военных и космических целей.

Скачать IRFP460 datasheet