Главная страница » datasheet Каталог » Транзисторы

IRF830 MOSFET datasheet загрузка документации на русском

  • user warning: Table './drupal/sessions' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed query: SELECT COUNT(sid) AS count FROM sessions WHERE timestamp >= 1775865030 AND uid = 0 in /var/www/fendercustomsh/data/www/avrlab.com/includes/session.inc on line 119.
  • user warning: Table './drupal/sessions' is marked as crashed and last (automatic?) repair failed query: SELECT DISTINCT u.uid, u.name, s.timestamp FROM users u INNER JOIN sessions s ON u.uid = s.uid WHERE s.timestamp >= 1775865030 AND s.uid > 0 ORDER BY s.timestamp DESC in /var/www/fendercustomsh/data/www/avrlab.com/modules/user/user.module on line 764.

IRF830 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.

Цоколевка IRF830 в корпусе TO-220 показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики транзистора IRF830

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Крутизна характеристики, S 2.5
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4

Скачать IRF830 datasheet

»