IRF830 MOSFET datasheet загрузка документации на русском
IRF830 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Цоколевка IRF830 в корпусе TO-220 показана на рис. 1
Рис. 1
Характеристики транзистора IRF830
Технические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Крутизна характеристики, S 2.5
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
»