BD139 транзистор средней мощности документация на русском

BD139

N-P-N транзистор средней мощности.

Цоколевка BD139 в корпусе TO-126 показана на рис. 1

Рис. 1

Характеристики транзистора BD139:
Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 80 В
Количество выводов: 3
Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 500 мВ
Ток коллектора постоянный максимальный: 1.5 А
Постоянный ток базы: 150 мА
Рассеиваемая мощность максимальная: 12.5 Вт
Обратный напряжение перехода база-коллектор: 100 В

Скачать BD139 datasheet